Wat is een van de belangrijkste redenen om SiC als substraat voor GaN-HEMT's te gebruiken?

Antwoord: C. De thermische geleidbaarheid is hoog, zodat de warmte van de component gemakkelijk wordt afgevoerd

Bij GaN-HEMT's met hoog vermogen concentreert de warmte zich nabij de gate, en bij stijgende temperatuur nemen prestaties en levensduur af. SiC heeft met circa 400 W/(m·K) een hogere thermische geleidbaarheid dan Si (circa 150) en saffier (circa 35), en de roosterafwijking met GaN is met circa 3,5 % relatief klein. SiC wordt daarom gebruikt als substraat voor hoogfrequente GaN-HEMT's met hoog vermogen voor basisstations en radars (GaN-on-SiC). Voor vermogenstoepassingen waarbij de kosten zwaar wegen, worden Si-substraten gebruikt.