Méthode de dépôt où le matériau est chauffé et évaporé sous vide pour se condenser sur le substrat. Le chauffage par faisceau d'électrons permet les matériaux réfractaires, mais la couverture de marche est faible.
Nom japonais: 真空蒸着
« Évaporation sous vide » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : C. Le matériau est chauffé sous vide pour s'évaporer et se déposer sur le substrat
L'évaporation sous vide est un PVD dans lequel le matériau, chauffé par effet Joule ou par faisceau d'électrons, s'évapore et ses atomes traversent un vide d'environ 10⁻⁴ Pa ou moins pour se déposer sur le substrat. L'équipement est relativement simple et le film très pur, mais les atomes se déplaçant en ligne droite, la couverture de marche est faible et la composition des alliages dérive facilement ; les interconnexions des LSI utilisent donc surtout la pulvérisation. Elle sert au lift-off pour la formation d'électrodes de semi-conducteurs composés et au dépôt des couches émettrices des OLED.
Réponse : A. Elle permet d'évaporer des matériaux à haut point de fusion
L'évaporation par faisceau d'électrons chauffe le matériau en y concentrant un faisceau d'électrons accéléré sous quelques kV ; elle évapore ainsi le tungstène, le molybdène ou des oxydes, difficiles à fondre par effet Joule, avec peu de contamination par le creuset. Les atomes évaporés se déplaçant en ligne droite, la couverture de marche est faible ; cette propriété est exploitée dans le procédé lift-off, où l'on dépose sur la résine puis élimine les parties inutiles avec elle pour former des électrodes.
L'évaporation sous vide est un PVD dans lequel le matériau, chauffé par effet Joule ou par faisceau d'électrons, s'évapore et ses atomes traversent un vide d'environ 10⁻⁴ Pa ou moins pour se déposer sur le substrat.
Quelle description de l'évaporation sous vide est correcte ?Couverture de marche (step coverage) Stiction (adhérence) ALD CVD Dépôt électrolytique (électroplacage) Dépôt par centrifugation (spin coating) Dépôt sélectif par zone (area-selective deposition) HDP-CVD (CVD par plasma haute densité) LPCVD (CVD basse pression) Mandrin électrostatique (e-chuck)