Technique qui forme des motifs à pas trop fin pour une seule exposition en répartissant le travail sur plusieurs expositions ou étapes de gravure. En deux fois, on parle de double patterning.
Nom japonais: マルチパターニング
« Multi-patterning » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Lithographie
Réponse : C. Oxyde d'hafnium des films High-k, nitrure de titane, etc.
L'ALD contrôle l'épaisseur couche atomique par couche atomique et offre une excellente couverture de marche ; elle est utilisée lorsque des films minces et uniformes sont nécessaires : oxyde d'hafnium des diélectriques de grille High-k, nitrure de titane des grilles métalliques et des barrières, oxyde de zirconium des condensateurs de DRAM, films entourant la couche de piégeage de charge de la 3D NAND, espaceurs du multi-patterning, etc. Dans la logique et la mémoire avancées, la part de l'ALD dans les étapes de dépôt ne cesse de croître.
Réponse : C. Grâce à des radicaux très réactifs, elle dépose à plus basse température que l'ALD thermique et élargit la gamme de matériaux utilisables
La PEALD utilise un plasma lors de l'étape de réaction pour produire des radicaux très réactifs d'oxygène, d'azote ou d'hydrogène ; elle dépose ainsi à plus basse température que l'ALD thermique (de l'ambiante à quelques centaines de ℃) et s'applique à des combinaisons de matériaux qui réagissent mal thermiquement (SiN, TiN, etc.). Pouvant déposer sur la résine, elle sert aux espaceurs du multi-patterning. En revanche, les radicaux se désactivent facilement au fond des structures profondes, et la couverture de marche peut être inférieure à celle de l'ALD thermique.
L'ALD contrôle l'épaisseur couche atomique par couche atomique et offre une excellente couverture de marche ; elle est utilisée lorsque des films minces et uniformes sont nécessaires : oxyde d'hafnium des diélectriques de grille High-k, nitrure de titane des grilles métalliques et des barrières, oxyde de zirconium des condensateurs de DRAM, films entourant la couche de piégeage de charge de la 3D NAND, espaceurs du multi-patterning, etc.
Quel exemple de matériau typiquement déposé par ALD est cor…Pouvant déposer sur la résine, elle sert aux espaceurs du multi-patterning.
Quel est l'avantage de l'ALD assistée par plasma (PEALD) ?ALD Couverture de marche (step coverage) 3D NAND Plasma Couche antireflet (BARC) EUV High-NA Fenêtre de procédé Laser excimère ArF Lithographie à immersion Lithographie EUV