矽光子

在將雷射整合到矽光電路的方法中,關於異質整合的說明,下列何者正確?

  1. A在矽波導中摻入高濃度雜質,把矽本身變為直接躍遷型而發光
  2. B將InP系化合物半導體的晶體層貼合在SOI晶圓上後再加工,把雷射光轉移至矽波導
  3. C是在矽上直接磊晶成長InP晶體的方法,無需擔心晶格常數差異造成的缺陷
查看答案與解析

正確答案:B. 將InP系化合物半導體的晶體層貼合在SOI晶圓上後再加工,把雷射光轉移至矽波導

矽是間接躍遷型,無法有效率地發光,因此雷射使用化合物半導體。異質整合是將具有InP系發光層的晶體(晶圓或晶片)接合到SOI晶圓上,去除InP基板後,以半導體製程形成雷射。由於能以微影與矽波導對準位置,比逐一排列元件更能精準地大量整合,光則經由錐形結構等轉移至矽波導。摻雜並不會改變間接躍遷型的性質,且InP與Si的晶格常數相差約8%,直接成長時缺陷會成為問題。

練習這個領域 前往領域頁面

矽光子的其他題目

  1. 在矽光電路中,難以將光隔離器與雷射一起整合的理由,下列何者正確?
  2. 關於波長分波多工(WDM)的說明,下列何者正確?
  3. 資料中心用光收發器的CWDM(粗波長分波多工)中,例如以1271、1291、1311、1331 nm這樣20 nm的間隔排列波長。間隔取得較寬的主要理由為何?
  4. 在C頻段(波長1.55 µm附近)的波長分波多工中,頻率間隔100 GHz換算為波長間隔約為多少(Δλ ≈ λ² × Δf / c,c = 3×10⁸ m/s)?
  5. 光收發器中,在4條光纖各以1個波長傳送訊號的平行方式,與將4個波長匯集到1條光纖的CWDM方式,兩者的比較下列何者正確?