矽光子
在將雷射整合到矽光電路的方法中,關於異質整合的說明,下列何者正確?
- A在矽波導中摻入高濃度雜質,把矽本身變為直接躍遷型而發光
- B將InP系化合物半導體的晶體層貼合在SOI晶圓上後再加工,把雷射光轉移至矽波導
- C是在矽上直接磊晶成長InP晶體的方法,無需擔心晶格常數差異造成的缺陷
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正確答案:B. 將InP系化合物半導體的晶體層貼合在SOI晶圓上後再加工,把雷射光轉移至矽波導
矽是間接躍遷型,無法有效率地發光,因此雷射使用化合物半導體。異質整合是將具有InP系發光層的晶體(晶圓或晶片)接合到SOI晶圓上,去除InP基板後,以半導體製程形成雷射。由於能以微影與矽波導對準位置,比逐一排列元件更能精準地大量整合,光則經由錐形結構等轉移至矽波導。摻雜並不會改變間接躍遷型的性質,且InP與Si的晶格常數相差約8%,直接成長時缺陷會成為問題。
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