酸窒化膜(SiON)とは
さんちっかまく
ゲート酸化膜に窒素を導入した膜。ゲート電極からのボロンの突き抜けを抑え、誘電率もわずかに高くなるため、High-k膜の導入前のゲート絶縁膜に使われた。
この用語の分野: 酸化・拡散
さんちっかまく
ゲート酸化膜に窒素を導入した膜。ゲート電極からのボロンの突き抜けを抑え、誘電率もわずかに高くなるため、High-k膜の導入前のゲート絶縁膜に使われた。
この用語の分野: 酸化・拡散
酸素より穏やかに反応するため気相での粒子の発生を抑えやすく、条件によっては膜に窒素を取り込んだ酸窒化膜もつくれます。
シランとともにCVDでシリコン酸化膜や酸窒化膜をつくるとき、酸化剤として使われることのあるガスはどれか。窒素を加えたSiONは5〜6程度、窒化膜(Si3N4)は約7、High-k材料の酸化ハフニウムは約20〜25です。
熱酸化で形成したSiO2膜の比誘電率に最も近い値はどれか。プラズマ窒化では、窒素のプラズマでつくった活性な窒素を、数百℃程度の比較的低い温度で酸化膜の表面付近に導入し、窒素を10〜20%程度含む酸窒化膜(SiON)にします。
薄いゲート酸化膜の表面に、プラズマで生成した窒素を導入する処理を何と呼ぶか。EOT(等価酸化膜厚) しきい値電圧 シラン(SiH4) CVD PECVD(プラズマCVD) 熱酸化 Low-k材料 エアギャップ プラズマ 移動度