酸化・拡散
ゲート酸化膜に窒素を導入して酸窒化膜(SiON)にする主な目的はどれか。
- Aゲート電極からのホウ素の突き抜けを抑え、信頼性を高める
- B膜を導電性にする
- Cエッチング速度を速くする
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正解：A. ゲート電極からのホウ素の突き抜けを抑え、信頼性を高める
p+ポリシリコンゲートに含まれるホウ素は、薄いゲート酸化膜を突き抜けてチャネルに入り、しきい値電圧を変動させます。窒素を導入するとホウ素の拡散が抑えられ、誘電率もやや高くなります。また、ホットキャリアに対する耐性などの信頼性も向上します。