酸化・拡散

熱酸化で形成したSiO2膜の比誘電率に最も近い値はどれか。

  1. A約1
  2. B約3.9
  3. C約25
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正解：B. 約3.9

SiO2の比誘電率は約3.9です。High-k材料の酸化ハフニウムは約20〜25、Low-k材料はおおむね3以下です。誘電率を比べるときの基準として、SiO2の値はよく使われます。

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