什麼是氮氧化矽膜(SiON)

在閘極氧化膜中導入氮的薄膜。可抑制硼自閘極電極穿透，且介電常數略高，因此在導入High-k膜之前被用作閘極絕緣膜。

日文名稱: 酸窒化膜(SiON)

「氮氧化矽膜(SiON)」出現在1領域的3道練習題中（氧化與擴散等）。

這個名詞所屬的領域: 氧化與擴散

練習氮氧化矽膜(SiON)的題目

在閘極氧化層中導入氮而形成氮氧化膜（SiON）的主要目的為何？

  1. A抑制來自閘極電極的硼穿透，提高可靠度
  2. B使薄膜具有導電性
  3. C加快蝕刻速率
查看答案與解析

正確答案：A. 抑制來自閘極電極的硼穿透，提高可靠度

p+ 多晶矽閘極中的硼，會在熱處理時穿透厚度約 2 nm 的薄閘極氧化層進入通道，使臨界電壓變動。導入氮可抑制硼的擴散，且相對介電常數會從 3.9 提高到 5～6 左右，因此在相同的 EOT 下可做得物理上更厚，漏電也減少。對熱載子的耐受性等可靠度也隨之提升，在 High-k 之前的世代是標準作法。

解析中的「氮氧化矽膜(SiON)」

出現「氮氧化矽膜(SiON)」的題目（3題）

  1. 在閘極氧化層中導入氮而形成氮氧化膜（SiON）的主要目的為何？
  2. 與熱氧化形成的 SiO2 薄膜相對介電常數最接近的值為何？
  3. 在薄閘極氧化層的表面，導入以電漿產生之氮的處理稱為什麼？

相關名詞

EOT(等效氧化層厚度) 臨界電壓 熱氧化 低介電常數材料(Low-k) 電漿 遷移率 退火 可動離子 合成氣體退火 界面能態

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