MOCVD(有機金属気相成長)とは

解説の中の「MOCVD(有機金属気相成長)」

• MOCVDの原料のアンモニアなどに由来する水素がMgと結合してMg-H複合体をつくり、アクセプタとして働かなくします。

  MOCVD法でマグネシウムを添加したGaNが、成長直後には高抵抗でp型にならない主な理由と、その対策の組み合わせとして…

• MOCVDは、トリメチルガリウムなどの有機金属とアンモニアなどの水素化物ガスを加熱した基板上で反応させ、化合物半導体の結晶を成長させる方法です。

  MOCVD(有機金属気相成長法)が主に使われる用途はどれか。

• 成長速度は1時間に1 µm程度と遅く量産性はMOCVDに劣りますが、研究開発や高性能なHEMT、量子デバイスに使われます。

  MBE(分子線エピタキシー)の特徴として正しいものはどれか。

「MOCVD(有機金属気相成長)」が出てくる問題(7問)

1. MOCVD法でマグネシウムを添加したGaNが、成長直後には高抵抗でp型にならない主な理由と、その対策の組み合わせとして正しいものはどれか。
2. MOCVD(有機金属気相成長法)が主に使われる用途はどれか。
3. MOCVDによるGaNの成長で、条件として管理される「V/III比」の意味はどれか。
4. MOCVDの原料であるトリメチルガリウム(TMGa)などの有機金属化合物の取り扱い上の注意点として正しいものはどれか。
5. MBE(分子線エピタキシー)の特徴として正しいものはどれか。
6. 溶かした金属の溶液などから、基板の上に結晶を析出させて成長させる方法はどれか。
7. GaNの自立基板をつくるために、厚いGaN層を高速に成長させる方法として使われるものはどれか。

関連する用語

GaN(窒化ガリウム) MBE(分子線エピタキシー) アクセプタ アニール HEMT(高電子移動度トランジスタ) GaAs(ガリウムヒ素) HVPE(ハイドライド気相成長) エピタキシャル成長 オートドーピング 貫通転位