MBE(分子線エピタキシー)とは
えむびーいー
超高真空中で、原料を分子線として基板に供給してエピタキシャル成長させる方法。膜厚や組成を原子層レベルで精密に制御でき、化合物半導体の研究や量子構造の作製に使われる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
解説の中の「MBE(分子線エピタキシー)」
MBEは、10⁻⁸ Pa程度の超高真空の装置内で原料を加熱して分子(原子)の線として基板に当て、結晶を成長させる方法です。
MBE(分子線エピタキシー)の特徴として正しいものはどれか。電子線が気体分子で散乱されない超高真空のMBEならではの観察方法です。
MBEで、成長中の表面に電子線を浅い角度で当て、その回折像から成長の様子をその場で観察する手法はどれか。薄い層や急峻な界面の制御は、MOCVDやMBEの方が得意です。
溶かした金属の溶液などから、基板の上に結晶を析出させて成長させる方法はどれか。
「MBE(分子線エピタキシー)」が出てくる問題(3問)
関連する用語
MOCVD(有機金属気相成長) HEMT(高電子移動度トランジスタ) GaAs(ガリウムヒ素) HVPE(ハイドライド気相成長) エピタキシャル成長 オートドーピング 貫通転位 格子不整合 SiGe(シリコンゲルマニウム) ステップフロー成長