MOCVD(有機金属気相成長)란?

えむおーしーぶいでぃー

有機金属化合物とアンモニアなどの原料ガスを使って結晶を成長させる方法。GaNやGaAsなどの化合物半導体の成長に広く使われる。

일본어 명칭: MOCVD(有機金属気相成長)

MOCVD(有機金属気相成長)은(는) 화합물 반도체 등 1개 분야의 연습 문제 1개에 나와요.

분야: 에피택셜 성장

도전해 보기: MOCVD(有機金属気相成長) 관련 문제

MOCVD법으로 마그네슘을 첨가한 GaN이 성장 직후에는 고저항이며 p형이 되지 않는 주된 이유와 그 대책의 조합으로 올바른 것은?

  1. AMg가 증발하여 없어지므로 Mg를 많이 첨가한다
  2. B수소가 Mg와 결합하여 억셉터를 불활성화하므로 질소 중 열처리나 전자선 조사로 활성화한다
  3. CGaN이 절연체이므로 p형화는 불가능하다
정답과 해설 보기

정답: B. 수소가 Mg와 결합하여 억셉터를 불활성화하므로 질소 중 열처리나 전자선 조사로 활성화한다

MOCVD 원료인 암모니아 등에서 유래한 수소가 Mg와 결합하여 Mg-H 복합체를 만들어 억셉터로 작동하지 못하게 합니다. 1989년 아마노 히로시 씨 등이 전자선 조사로 p형화에 성공했고, 1992년 나카무라 슈지 씨 등이 질소 중 약 700 ℃의 열처리(어닐링)로 수소를 몰아내는, 양산에 적합한 방법을 발견했습니다. 수소가 원인임이 규명되면서 청색 LED와 레이저의 실용화가 단숨에 진전되었습니다.

해설 속 MOCVD(有機金属気相成長)

MOCVD(有機金属気相成長)이(가) 나오는 문제 (1)

  1. MOCVD법으로 마그네슘을 첨가한 GaN이 성장 직후에는 고저항이며 p형이 되지 않는 주된 이유와 그 대책의 조합으로 올바른 것은?

관련 용어

GaN(窒化ガリウム) 4H-SiC 格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長)

용어집으로 돌아가기