エピタキシャル成長
GaNの自立基板をつくるために、厚いGaN層を高速に成長させる方法として使われるものはどれか。
- AALD(原子層堆積)
- BHVPE(ハイドライド気相成長)
- C熱酸化
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正解：B. HVPE(ハイドライド気相成長)
HVPEは、ガリウムと塩化水素から生成した塩化ガリウムとアンモニアを反応させてGaNを成長させる方法で、毎時数十〜数百µmという高い成長速度が得られます。厚いGaNを成長させて基板から外すことで、GaNの自立基板がつくられます。
- A. ALDは原子層ずつ成長させる方法で、厚い層の成長には向きません。
- B. 正しい。高い成長速度で厚いGaNを成長させます。
- C. 熱酸化はシリコンの酸化膜をつくる工程です。