HVPE(ハイドライド気相成長)とは
えいちぶいぴーいー
塩化水素とガリウムの反応で生じた塩化ガリウムとアンモニアを使う気相成長法。成長速度が非常に速く、GaNの自立基板をつくる厚い結晶の成長に使われる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
解説の中の「HVPE(ハイドライド気相成長)」
HVPEは、高温のガリウムに塩化水素を流して塩化ガリウム(GaCl)をつくり、アンモニアと反応させてGaNを成長させる方法で、毎時数十〜数百µmとMOCVDの数十倍の速さが得られます。
GaNの自立基板をつくるために、厚いGaN層を高速に成長させる方法として使われるものはどれか。
「HVPE(ハイドライド気相成長)」が出てくる問題(1問)
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