フローティングゲートとは
ふろーてぃんぐげーと
フラッシュメモリのセルで、周囲を絶縁膜で囲まれた電極。ここに電子を蓄えるとトランジスタのしきい値電圧が変わり、電源を切ってもデータが保たれる。
この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ
ふろーてぃんぐげーと
フラッシュメモリのセルで、周囲を絶縁膜で囲まれた電極。ここに電子を蓄えるとトランジスタのしきい値電圧が変わり、電源を切ってもデータが保たれる。
この用語の分野: SRAM・フラッシュメモリ
フローティングゲートに電子(負の電荷)があると、ゲート電圧の一部が打ち消されてチャネルを作るのにより大きな電圧が必要になるため、しきい値電圧は高くなります。
フラッシュメモリの消去で、フローティングゲートなどから電子を引き抜くと、セルのしきい値電圧はどうなるか。トランジスタ6個はSRAM、フローティングゲートのトランジスタはフラッシュメモリのセル構成です。
一般的なDRAMの1ビットのメモリセルの構成として正しいものはどれか。フローティングゲートや電荷トラップはフラッシュの構造です。
DRAMのセルで、キャパシタの容量を確保するために使われてきた立体構造の組み合わせとして正しいものはどれか。しきい値電圧 マイコン(マイクロコントローラ) High-k/メタルゲート MRAM 3D NAND 電荷トラップ型セル ReRAM(抵抗変化メモリ) 不揮発性メモリ 磁気トンネル接合(MTJ) ファウンドリ