HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)란?

えいちびーてぃー

エミッタとベースにバンドギャップの異なる材料を使ったバイポーラトランジスタ。SiGeやGaAs系などがあり、高周波の増幅器に使われる。

일본어 명칭: HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)

HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)은(는) 바이폴라 트랜지스터, 화합물 반도체 등 2개 분야의 연습 문제 8개에 나와요.

분야: 바이폴라 트랜지스터

도전해 보기: HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) 관련 문제

SiGe HBT(헤테로접합 바이폴라 트랜지스터)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A베이스를 금속으로 만든 트랜지스터이다
  2. B베이스에 SiGe를 사용한 헤테로접합으로 높은 주파수까지 동작하기 쉽다
  3. C전류 증폭률이 1 이하로 고정되어 있다
정답과 해설 보기

정답: B. 베이스에 SiGe를 사용한 헤테로접합으로 높은 주파수까지 동작하기 쉽다

SiGe HBT는 베이스에 밴드갭이 작은 SiGe를 사용한 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터입니다. 에미터와 베이스의 밴드갭 차이가 정공의 역주입을 억제하므로 주입 효율을 유지한 채 베이스를 고농도·박막으로 만들 수 있고, Ge 농도에 경사를 주어 베이스 내에 전계를 만들어 전자를 가속할 수도 있습니다. fT가 수백 GHz에 달하고 실리콘 공정으로 만들 수 있어 스마트폰의 고주파 회로, 광통신, 차량용 레이더에 사용되고 있습니다.

InP나 GaAs를 사용한 HBT(이종 접합 바이폴라 트랜지스터)가 사용되는 용도의 예로 올바른 것은?

  1. ADRAM의 메모리 셀
  2. B광통신이나 무선통신의 고속·고주파 회로
  3. C태양열 발전
정답과 해설 보기

정답: B. 광통신이나 무선통신의 고속·고주파 회로

화합물 반도체 HBT는 와이드 갭 에미터로 정공의 역주입을 억제하여 베이스를 고농도·박막으로 만들 수 있고, 전자의 이동도도 높아 고속입니다. GaAs계(InGaP/GaAs) HBT는 단일 전원으로 동작하고 효율이 높아 스마트폰 송신용 파워 앰프의 주류이며, InP계 HBT는 수백 GHz의 fT를 살려 100 Gb/s 이상 광통신의 전자 회로나 테라헤르츠대 연구에 사용됩니다.

해설 속 HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)

HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)이(가) 나오는 문제 (8)

  1. SiGe HBT(헤테로접합 바이폴라 트랜지스터)의 특징으로 올바른 것은?
  2. InP나 GaAs를 사용한 HBT(이종 접합 바이폴라 트랜지스터)가 사용되는 용도의 예로 올바른 것은?
  3. NPN 트랜지스터에서 에미터의 불순물 농도를 베이스보다 높게 하는 주된 이유는?
  4. 바이폴라 트랜지스터의 트랜지션 주파수 fT의 의미로 올바른 것은?
  5. 바이폴라 트랜지스터와 CMOS를 같은 칩에 집적하는 기술과 그 목적의 조합으로 올바른 것은?
  6. InP(인화인듐)계 화합물 반도체가 주로 사용되는 용도는?
  7. GaAs 고주파 트랜지스터로 사용되어 온 MESFET의 게이트 구조로 올바른 것은?
  8. 실리콘게르마늄(SiGe)의 분류로 올바른 것은?

이 용어가 포함된 비교

관련 용어

SiGe(シリコンゲルマニウム) InP(リン化インジウム) GaAs(ガリウムヒ素) HEMT(高電子移動度トランジスタ) CMOS GAA(ゲートオールアラウンド) 能動領域 電流増幅率(hFE) 遮断領域 飽和領域

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