電流増幅率(hFE)とは

でんりゅうぞうふくりつ

バイポーラトランジスタのコレクタ電流とベース電流の比(IC/IB)。

この用語の分野: バイポーラトランジスタ

解説の中の「電流増幅率(hFE)」

「電流増幅率(hFE)」が出てくる問題(20問)

  1. バイポーラトランジスタの直流電流増幅率hFEを表す式はどれか。(IC:コレクタ電流、IB:ベース電流、IE:エミッタ電流)
  2. ベース接地電流増幅率α = 0.99のバイポーラトランジスタのエミッタ接地電流増幅率βはおよそいくらか。
  3. シリコンのバイポーラトランジスタの電流増幅率hFEは、一般に温度が上がるとどうなるか。
  4. 直流電流増幅率hFE = 100のトランジスタにベース電流10 μAを流したとき、能動領域でのコレクタ電流はおよそいくらか。
  5. 直流電流増幅率hFEと、小信号の電流増幅率hfeの違いとして正しいものはどれか。
  6. バイポーラトランジスタの電流増幅率hFEのコレクタ電流依存性として正しいものはどれか。
  7. バイポーラトランジスタのベース幅を薄くする主な理由として最も適切なものはどれか。
  8. バイポーラトランジスタをスイッチとして使うとき、オンの状態に対応する動作領域はどれか。
  9. NPNトランジスタで、エミッタの不純物濃度をベースより高くする主な理由はどれか。
  10. 2つのトランジスタを組み合わせたダーリントン接続の特徴として正しいものはどれか。
  11. PNPトランジスタで、エミッタからベースへ注入されて主に電流を運ぶキャリアはどれか。
  12. コレクタ接地増幅回路(エミッタフォロワ)の特徴として正しいものはどれか。
  13. バイポーラトランジスタのトランジション周波数fTの意味として正しいものはどれか。
  14. トランジスタ増幅回路で、エミッタ抵抗を入れた電流帰還バイアス回路を使う主な理由はどれか。
  15. エミッタ接地増幅回路の小信号の入力抵抗(hie)を大きくする条件として正しいものはどれか。

関連する用語

飽和領域 負帰還 能動領域 空乏層 遮断領域 HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) エミッタフォロワ 拡散長 パンチスルー バンドギャップ

用語集の一覧へ