相互コンダクタンスとは
そうごこんだくたんす
ゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の割合で、gmと書く。トランジスタの増幅能力を表し、増幅回路の利得はおおよそgmと負荷抵抗の積で決まる。
この用語の分野: MOSFET
そうごこんだくたんす
ゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の割合で、gmと書く。トランジスタの増幅能力を表し、増幅回路の利得はおおよそgmと負荷抵抗の積で決まる。
この用語の分野: MOSFET
バイポーラトランジスタの相互コンダクタンスは gm = IC/VT で、1 mA ÷ 26 mV ≈ 38 mS です。
コレクタ電流1 mAで動作しているバイポーラトランジスタの相互コンダクタンスgmはおよそいくらか。(室温、熱電圧VT …相互コンダクタンスは gm = ∂ID/∂VGS で、ゲート電圧の変化がドレイン電流をどれだけ変えるかを表します。
MOSFETの相互コンダクタンスgmの定義として正しいものはどれか。飽和領域 LDD構造 貫通電流 基板バイアス効果 サブスレッショルドスイング GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) CMOS しきい値電圧 速度飽和 短チャネル効果