エピタキシャル成長

p+基板の上に低濃度のp型エピタキシャル層を成長させたウエハ(p/p+エピウエハ)の利点として正しいものはどれか。

  1. Aウエハが透明になる
  2. B表面の結晶品質がよく、CMOSのラッチアップを抑えやすい
  3. Cエッチングが不要になる
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正解：B. 表面の結晶品質がよく、CMOSのラッチアップを抑えやすい

エピ層は欠陥が少なく、デバイスをつくる表面の品質がよくなります。また、下に低抵抗のp+基板があることで寄生トランジスタが動作しにくくなり、CMOSのラッチアップを抑えやすくなります。高濃度基板は金属不純物のゲッタリングにも役立ちます。

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