ランダムドーパントゆらぎ(RDF)とは
らんだむどーぱんとゆらぎ
微細なトランジスタで、チャネル中の不純物原子の数や位置の統計的なばらつきによって、しきい値電圧がばらつく現象。チャネルを低濃度にできるFinFETやFD-SOIで抑えられる。
この用語の分野: 先端トランジスタ(FinFET・GAA)
らんだむどーぱんとゆらぎ
微細なトランジスタで、チャネル中の不純物原子の数や位置の統計的なばらつきによって、しきい値電圧がばらつく現象。チャネルを低濃度にできるFinFETやFD-SOIで抑えられる。
この用語の分野: 先端トランジスタ(FinFET・GAA)
FD-SOIでは、厚さ5〜7 nm程度の極めて薄いシリコン層全体が空乏化するため、チャネルに不純物を入れなくても短チャネル効果を抑えられ、ランダムドーパントゆらぎによるばらつきが小さくなります。
完全空乏型SOI(FD-SOI)トランジスタの利点として正しいものはどれか。FD-SOI(完全空乏型SOI) 短チャネル効果 EOT(等価酸化膜厚) SADP(自己整合ダブルパターニング) ゲートラスト(リプレースメントメタルゲート) GAA(ゲートオールアラウンド) CFET(相補型FET) DTCO(設計・技術協調最適化) ナノシート High-k/メタルゲート