什麼是FD-SOI(全空乏型SOI)
在埋入氧化膜上方非常薄的矽層中製作電晶體，使通道完全空乏的技術。可減少通道雜質，並容易以基板偏壓調整臨界電壓。
日文名稱: FD-SOI(完全空乏型SOI)
「FD-SOI(全空乏型SOI)」出現在1領域的3道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。
這個名詞所屬的領域: 先進電晶體（FinFET與GAA）
練習FD-SOI(全空乏型SOI)的題目
下列關於完全空乏型 SOI（FD-SOI）電晶體之優點，何者正確？
- A可將矽層加厚，並摻入大量雜質
- B不再需要閘極電極
- C通道的雜質可以減少，能抑制臨界電壓的變異，並容易以基板偏壓調整臨界電壓
解析中的「FD-SOI(全空乏型SOI)」
在 FD-SOI 中，厚度約 5～7 nm 的極薄矽層整體都會空乏，因此即使不在通道中摻入雜質也能抑制短通道效應，並減少隨機摻雜物波動所造成的變異。
下列關於完全空乏型 SOI（FD-SOI）電晶體之優點，何者正確？廣泛用於高頻開關（RF-SOI）與低功耗用的 FD-SOI。
下列關於 SOI（絕緣層上覆矽，Silicon On Insulator）結構的說明，何者正確？可使通道不摻雜的 FinFET 與 FD-SOI，在這點上也具有優勢。
在微小的電晶體中，因通道中雜質原子的數量與位置的統計變異，而使臨界電壓產生變異的現象稱為什麼？
出現「FD-SOI(全空乏型SOI)」的題目（3題）
出現這個名詞的比較
相關名詞
臨界電壓 短通道效應 隨機摻雜物波動(RDF) 接面電容(空乏層電容) 閂鎖效應 FinFET(鰭式場效電晶體) 奈米片 後閘極製程(取代式金屬閘極) CFET(互補式場效電晶體) DTCO(設計與技術協同最佳化)