先端トランジスタ(FinFET・GAA)

SOI(Silicon On Insulator)構造の説明として正しいものはどれか。

  1. Aゲート絶縁膜を使わないトランジスタ構造
  2. B埋め込み酸化膜の上の薄いシリコン層にトランジスタをつくる構造
  3. Cチップを2枚重ねた構造
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正解:B. 埋め込み酸化膜の上の薄いシリコン層にトランジスタをつくる構造

SOIは、シリコン基板の中に埋め込んだ酸化膜(BOX層)の上の薄いシリコン層にトランジスタをつくる構造です。素子が基板から絶縁されるため、寄生容量やリーク電流が小さく、ラッチアップも起こりません。シリコン層を極めて薄くした完全空乏型SOI(FD-SOI)は、低消費電力の用途に使われています。

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