先端トランジスタ(FinFET・GAA)

完全空乏型SOI(FD-SOI)トランジスタの利点として正しいものはどれか。

  1. Aシリコン層を厚くでき、不純物を多く入れられる
  2. Bゲート電極が不要になる
  3. Cチャネルの不純物を少なくでき、しきい値電圧のばらつきを抑えられ、基板バイアスでしきい値を調整しやすい
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正解：C. チャネルの不純物を少なくでき、しきい値電圧のばらつきを抑えられ、基板バイアスでしきい値を調整しやすい

FD-SOIでは、極めて薄いシリコン層全体が空乏化するため、チャネルに不純物を多く入れなくても短チャネル効果を抑えられます。不純物のばらつきによるしきい値電圧のばらつきが小さく、薄い埋め込み酸化膜を通して基板側から電圧をかけ、しきい値を調整できます。

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