Warmtebehandeling. Wordt gebruikt om kristaldefecten na ionenimplantatie te herstellen en doteerstoffen te activeren.
Japanse benaming: アニール
“Gloeien (annealing)” komt voor in 8 oefenvragen uit 7 onderwerpen, bijv. Oxidatie en diffusie, Milieu en veiligheid, Verbindingshalfgeleiders.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: A. Het explosiebereik in lucht is met circa 4 tot 75 % zeer breed en de voor ontsteking benodigde energie is klein
Het explosiebereik van waterstof in lucht is met circa 4 tot 75 vol% zeer breed en de minimale ontstekingsenergie is met circa 0,02 mJ minder dan een tiende van die van benzinedamp, zodat zelfs weinig statische elektriciteit kan ontsteken. De moleculen zijn klein en lekken gemakkelijk, en de vlam is nauwelijks te zien. Omdat waterstof veel lichter is dan lucht en zich gemakkelijk onder het plafond ophoopt, zijn detectie en ventilatie nabij het plafond en beheer van lekkage uit leidingen belangrijk. Het lost niet op in water tot een zuur.
In 1989 slaagden Hiroshi Amano en collega's erin p-type te verkrijgen door bestraling met elektronen, en in 1992 vonden Shuji Nakamura en collega's een voor massaproductie geschikte methode: warmtebehandeling (annealing) bij circa 700 °C in stikstof, waarbij het waterstof wordt verdreven.
Wat is de belangrijkste reden dat met Mg gedoteerd GaN dat …Bij polysilicium wordt de spanning met afzettingstemperatuur en gloeien beperkt tot enkele tientallen MPa of minder, en bij nitridefilms wordt via de samenstelling een trekspanning ingesteld.
Welk probleem treedt op wanneer een dunne film zoals polysi…Tegenwoordig worden ook wafers gebruikt waarbij deze structuur wordt gemaakt met gloeien in waterstof of argon en snelle thermische processen.
Een wafer wordt thermisch behandeld, zodat zuurstof nabij h…Tegenmaatregelen zijn onder meer een substraat met off-angle te gloeien zodat trappen van twee atoomlagen ontstaan en de groei in sleuven uit te voeren om APB's op te sluiten.
Hoe heet de grens van een gebied in het kristal waar de vol…Voor thermische oxidatie, diffusie en gloeien wordt vaak een verticale warmtebehandelingsoven gebruikt, waarin ongeveer 100 wafers verticaal gestapeld in een kwartsreactiebuis worden verhit.
Welk apparaat wordt in het algemeen gebruikt om veel wafers…Epitaxiale groei GaN (galliumnitride) MOCVD (metaalorganische dampafzetting) Numerieke apertuur (NA) Acceptor Via DZ (denuded zone) Zuurstofprecipitaten (BMD) GaAs (galliumarsenide) Thermische oxidatie