Qu'est-ce que Diffusion accélérée transitoire (TED) ?

Réponse : A. Diffusion accélérée transitoire (TED)

Les atomes de silicium interstitiels en excès créés par l'implantation s'associent au bore et favorisent sa diffusion, qui s'accélère temporairement d'un facteur de plusieurs dizaines à environ mille au début du recuit. Comme l'effet cesse lorsque le silicium interstitiel disparaît, notamment en surface, on parle de diffusion accélérée « transitoire » (TED) ; l'effet est d'autant plus important que le chauffage est long à relativement basse température. Comme elle empêche la formation de jonctions peu profondes, on la limite par un recuit spike, qui monte rapidement en température, ou par la co-implantation de carbone.

Réponse : C. Limiter la diffusion du bore et maintenir la jonction peu profonde

La diffusion du bore est accélérée avec l'aide du silicium interstitiel (diffusion accélérée transitoire). En co-implantant environ 10¹⁵ cm⁻² de carbone, celui-ci capture et consomme le silicium interstitiel, ce qui limite la diffusion du bore et maintient une jonction peu profonde après recuit. La co-implantation de fluor ou d'azote est utilisée dans un but similaire. La diffusion du phosphore étant aussi freinée par le carbone, on ajoute parfois du carbone au Si:P épitaxié des nMOS.