Quel est le principal objectif du recuit (traitement thermique) après implantation ionique ?

Réponse : B. Réparer les défauts cristallins et placer les impuretés en sites substitutionnels pour les activer électriquement

Les ions implantés désorganisent le cristal de silicium, et la plupart restent en positions interstitielles où ils n'agissent ni comme donneurs ni comme accepteurs ; juste après l'implantation, ils sont donc presque inactifs électriquement. Le recuit répare les dommages cristallins et place les impuretés en sites substitutionnels pour les activer. Pour éviter une diffusion excessive des impuretés, on utilise le RTA, qui chauffe par lampes pendant quelques secondes, ou les recuits flash ou laser d'une milliseconde ou moins.