Lors de l'activation des dopants par recuit, quelle propriété fixe la limite supérieure de la concentration électriquement activable ?

Réponse : A. La solubilité limite

La concentration maximale d'impuretés pouvant se dissoudre dans le cristal à l'équilibre thermique est la solubilité limite ; dans le silicium, elle est d'environ 2×10²⁰ cm⁻³ pour le bore (vers 1000 °C) et d'environ 10²¹ cm⁻³ pour l'arsenic et le phosphore. Même implantées au-delà de la solubilité limite, les impuretés excédentaires précipitent ou forment des amas et ne sont pas électriquement actives. Le recuit milliseconde ou la recroissance épitaxiale en phase solide, qui refroidissent avant l'équilibre thermique, permettent d'obtenir temporairement une activation supérieure à la solubilité limite.