Comment appelle-t-on l'ajout de dopants simultanément à la croissance, en injectant un gaz dopant pendant l'épitaxie ?

Réponse : A. Dopage in situ

Le dopage in situ incorpore les dopants en injectant un gaz dopant (phosphine, diborane, etc.) pendant la croissance, ce qui évite les dommages cristallins de l'implantation ionique et le recuit haute température d'activation. La commutation des débits permet de créer des profils de concentration précis en profondeur, avec un taux d'activation élevé. Les couches épitaxiales de SiGe:B et de Si:P des sources/drains des transistors avancés atteignent ainsi des concentrations de l'ordre de 10²¹ cm⁻³.