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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Quelle est la définition du procédé gate-last (grille métallique de remplacement) ?

  1. ALa grille métallique est formée en premier, puis toutes les étapes à haute température sont réalisées
  2. BLe transistor est d'abord formé avec une grille factice, qui est retirée après les étapes à haute température et remplacée par une grille métallique
  3. CIl s'agit de fabriquer des transistors sans grille
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Réponse : B. Le transistor est d'abord formé avec une grille factice, qui est retirée après les étapes à haute température et remplacée par une grille métallique

Les étapes à haute température, comme le recuit d'activation des sources/drains (environ 1000 ℃), risquent de modifier le high-k et le travail de sortie de la grille métallique. En gate-last, les étapes à haute température sont d'abord réalisées avec une grille factice en polysilicium ; le diélectrique intercouche est aplani pour exposer la grille factice, qui est retirée, et la tranchée obtenue est remplie de high-k et de grille métallique. Adopté par Intel au nœud 45 nm, c'est aujourd'hui le procédé dominant.

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