Quelle combinaison donne correctement la principale raison pour laquelle le GaN dopé au magnésium par MOCVD est très résistif et non de type p juste après la croissance, et la contre-mesure correspondante ?

Réponse : B. L'hydrogène se lie au Mg et rend les accepteurs inactifs ; on les active par recuit sous azote ou irradiation électronique

L'hydrogène provenant notamment de l'ammoniac utilisé en MOCVD se lie au Mg pour former des complexes Mg-H qui empêchent le Mg d'agir comme accepteur. En 1989, Hiroshi Amano et ses collègues ont obtenu le type p par irradiation électronique, puis en 1992, Shuji Nakamura et ses collègues ont trouvé une méthode adaptée à la production en série : un recuit sous azote vers 700 ℃ chassant l'hydrogène. L'identification de l'hydrogène comme cause a fortement accéléré la mise en pratique des LED et lasers bleus.