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Croissance épitaxiale

Quel est l'objectif principal du chauffage de la plaquette sous hydrogène à haute température juste avant la croissance épitaxiale du silicium ?

  1. AOxyder la surface en profondeur
  2. BDoper fortement la surface
  3. CÉliminer l'oxyde natif de surface et exposer une surface cristalline propre
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Réponse : C. Éliminer l'oxyde natif de surface et exposer une surface cristalline propre

Si un oxyde natif (environ 1 nm) ou une contamination au carbone subsiste en surface, le monocristal croît mal par-dessus, ce qui provoque notamment des fautes d'empilement. Un chauffage sous hydrogène à environ 1100 ℃ avant croissance (recuit hydrogène) fait réagir le SiO2 avec le silicium, qui s'évapore sous forme de SiO, et expose une surface cristalline de silicium propre. Dans les procédés avancés soucieux du budget thermique, il est réalisé à plus basse température, combiné à un nettoyage chimique ou un traitement plasma préalables.

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