Lors du dopage n du GaAs par le silicium, quel site le silicium occupe-t-il principalement ?

Réponse : C. Le site du gallium (Ga)

Le silicium, du groupe IV, placé sur un site de gallium (groupe III) apporte un électron de valence excédentaire et agit comme donneur, d'où le type n. Sur un site d'arsenic (groupe V), il lui manque un électron et il devient accepteur. Une impureté dont le rôle dépend du site occupé est dite amphotère. Dans les conditions habituelles, le Si occupe de préférence les sites Ga et constitue le dopant n typique du GaAs, mais certaines conditions de croissance le rendent de type p, d'où l'importance de leur contrôle.