Quelle description de l'alignement de bandes de « type I » d'une hétérojonction est correcte ?

Réponse : A. Le bas de la bande de conduction et le haut de la bande de valence du matériau à petite bande interdite se situent tous deux à l'intérieur de la bande interdite du matériau à grande bande interdite

En type I, les bandes du matériau à petite bande interdite sont contenues dans celle du matériau à grande bande interdite ; électrons et trous sont tous deux confinés dans la couche à petite bande interdite (GaAs/AlGaAs, par exemple). Cet alignement sert dans les puits quantiques des LED et des lasers pour une recombinaison efficace. En type II, décalé en quinconce, électrons et trous sont séparés dans des couches différentes, ce qui est exploité notamment dans les détecteurs infrarouges de grande longueur d'onde (superréseaux InAs/GaSb).