Sous un champ électrique intense dans le GaAs, les électrons passent dans une autre vallée de plus faible mobilité et une résistance différentielle négative apparaît, le courant diminuant lorsque le champ augmente. Quel composant oscillateur exploite ce phénomène ?

Réponse : A. Diode Gunn

Dans le GaAs, les électrons accélérés par un champ intense (au-delà d'environ 3 kV/cm) passent dans la vallée L, située environ 0,3 eV plus haut et de masse effective plus grande, et leur vitesse de dérive diminue (effet de transfert d'électrons). Cette résistance différentielle négative provoque la formation et la propagation répétées de paquets de charge (domaines) ; la diode Gunn oscille ainsi en hyperfréquence sous simple polarisation continue. Découverte en 1963 par J. B. Gunn, elle a été utilisée dans les radars automobiles et les cinémomètres.