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Semi-conducteurs composés

Quelle est une caractéristique de l'oxyde de gallium (Ga2O3), étudié comme matériau de puissance de nouvelle génération ?

  1. ASa bande interdite est plus petite que celle du Si
  2. BIl se comporte comme un métal à température ambiante
  3. CSa bande interdite (environ 4,5 à 4,9 eV) est encore plus grande que celles du SiC et du GaN
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Réponse : C. Sa bande interdite (environ 4,5 à 4,9 eV) est encore plus grande que celles du SiC et du GaN

Le Ga2O3 possède une bande interdite d'environ 4,5 à 4,9 eV, supérieure à celles du SiC et du GaN, et un champ de claquage estimé à environ 8 MV/cm, ce qui laisse espérer une tenue en tension encore plus élevée et des pertes plus faibles. Contrairement au SiC et au GaN, il peut être cristallisé à partir d'un bain fondu, ce qui pourrait permettre des substrats de grand diamètre bon marché ; des entreprises et instituts japonais mènent son développement. Les difficultés sont l'obtention du type p et sa faible conductivité thermique.

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