Quelle est la structure de bandes correcte de l'arséniure de gallium (GaAs) ?

Réponse : A. Gap direct

Le GaAs est un semi-conducteur à gap direct : le minimum de la bande de conduction et le maximum de la bande de valence se situent au même point de l'espace des moments, si bien que les électrons et les trous se recombinent sans l'aide de phonons et émettent efficacement de la lumière. Il est donc utilisé dans les LED infrarouges et les lasers à semi-conducteur (disques optiques, télécommunications, VCSEL de reconnaissance faciale). Le silicium est à gap indirect : la recombinaison fait intervenir des phonons et le rendement d'émission est extrêmement faible. Son absorption optique étant également forte, une couche mince suffit, d'où son emploi dans les cellules solaires à haut rendement.