Pourquoi le GaN convient-il aux transistors haute fréquence et forte puissance ?

Réponse : A. Parce que sa grande bande interdite donne un champ de claquage élevé et que la vitesse de saturation des électrons est également élevée

Le champ de claquage du GaN, environ 10 fois celui du Si, permet de fonctionner sous haute tension, et la vitesse de saturation des électrons, d'environ 2,5×10⁷ cm/s, permet de traiter de fortes puissances à haute fréquence. La structure HEMT fournit en outre un gaz d'électrons bidimensionnel dense d'environ 10¹³ cm⁻², d'où une forte densité de courant et une densité de puissance plusieurs fois supérieure à celle du GaAs. Il est utilisé dans les amplificateurs de puissance des stations de base, des radars et des communications par satellite.