Qu'est-ce qui est correct concernant le diamètre usuel des plaquettes de semi-conducteurs composés comme le GaAs ?

Réponse : C. Des diamètres inférieurs à ceux du silicium (environ 150 mm ou moins) sont dominants

Les semi-conducteurs composés exigent de maintenir précisément le rapport de deux éléments ou plus et une croissance sous haute pression pour éviter l'évaporation de l'arsenic ou du phosphore ; il est donc difficile d'obtenir de grands monocristaux peu défectueux : environ 150 mm pour le GaAs et 100 à 150 mm pour l'InP. Par rapport au silicium en 300 mm, le nombre de puces par plaquette est plus faible et les équipements sont dédiés, d'où un coût élevé. Le passage au 200 mm progresse pour le GaN-on-Si et le SiC.