Quelle est l'une des raisons pour lesquelles il est difficile de réaliser des circuits CMOS en GaAs comme en silicium ?

Réponse : A. La mobilité des trous du GaAs est très inférieure à celle des électrons, ce qui rend difficile la réalisation de transistors à canal p performants

La mobilité des électrons du GaAs, d'environ 8500 cm²/V·s, dépasse celle du silicium, mais celle des trous n'est que d'environ 400 cm²/V·s, soit un écart de près de 20 fois. Le CMOS exigeant des transistors à canal n et à canal p de performances équilibrées, un CMOS GaAs performant est difficile à réaliser. La difficulté à former un isolant de grille de qualité en est une autre raison. Pour la logique avancée, l'association d'InGaAs pour le nMOS et de Ge pour le pMOS a donc été étudiée.