Quel est l'avantage de faire croître sur un substrat InP de l'InGaAs de composition ajustée en accord de maille ?

Réponse : B. L'égalisation des paramètres de maille permet d'obtenir un cristal de haute qualité peu disloqué

En ajustant la composition, par exemple In0.53Ga0.47As, le paramètre de maille de l'InGaAs coïncide quasiment avec celui de l'InP (environ 0,587 nm) : c'est l'accord de maille. Avec des paramètres égaux, contraintes et dislocations apparaissent difficilement et des couches épaisses de haute qualité sont possibles. Cet InGaAs, de bande interdite d'environ 0,75 eV, absorbe jusqu'à 1,7 µm et convient idéalement aux photodétecteurs pour télécommunications optiques ; sa mobilité électronique élevée, d'environ 10000 cm²/V·s, le destine aussi aux HEMT.