Quel est l'avantage d'un substrat GaAs semi-isolant dans les circuits intégrés haute fréquence en GaAs ?

Réponse : A. La résistivité très élevée du substrat réduit la capacité parasite et les pertes de signal

Le GaAs peut être rendu semi-isolant, avec une résistivité supérieure à 10⁷ Ω·cm, par compensation entre les impuretés de carbone et un défaut à niveau profond (EL2). Les fuites de signal à travers le substrat et les capacités parasites diminuent : l'isolation entre transistors est simple et des composants passifs tels qu'inductances et lignes de transmission peuvent être réalisés à faibles pertes sur le même substrat. Dans le silicium, la conductivité du substrat engendre des pertes à haute fréquence, d'où le recours au SOI ou aux substrats à haute résistivité.