Quelle est l'une des principales raisons d'utiliser le SiC comme substrat des HEMT GaN ?

Réponse : C. Sa conductivité thermique élevée facilite l'évacuation de la chaleur du composant

Dans les HEMT GaN de forte puissance, la chaleur se concentre près de la grille et l'élévation de température dégrade les performances et la durée de vie. Le SiC a une conductivité thermique d'environ 400 W/(m·K), supérieure à celles du Si (environ 150) et du saphir (environ 35), et un désaccord de maille avec le GaN relativement faible (environ 3,5 %) ; il sert donc de substrat aux HEMT GaN haute fréquence et forte puissance pour stations de base et radars (GaN-on-SiC). Pour les applications de puissance sensibles au coût, on utilise le substrat Si.