Quelle est la structure de grille correcte du MESFET, utilisé comme transistor haute fréquence en GaAs ?

Réponse : C. Une structure utilisant comme grille une jonction Schottky formée par contact direct du métal avec le semi-conducteur

Le MESFET (Metal-Semiconductor FET) utilise comme grille une jonction Schottky formée par contact direct du métal de grille avec le semi-conducteur, et contrôle le courant en modulant l'épaisseur du canal par la largeur de la zone de déplétion. Le GaAs se prêtant mal à la formation d'un isolant de qualité, cette structure a remplacé la structure MOS et a été largement utilisée de 1970 à 1990 dans les récepteurs satellites et les circuits haute fréquence des téléphones mobiles. Elle a depuis été supplantée par les HEMT et HBT, plus performants.