Quel substrat est couramment utilisé pour la croissance des couches de GaN dans les composants GaN ?

Réponse : B. Des substrats hétérogènes tels que le saphir, le SiC ou le Si

Le GaN se décompose facilement même à haute température et haute pression et ne peut pas être tiré d'un bain fondu ; il est donc difficile de produire des substrats GaN de grand diamètre et bon marché, et le GaN est épitaxié sur des substrats d'un autre matériau. On utilise le saphir, bon marché et transparent, pour les LED, le SiC, bon conducteur thermique, pour les composants haute fréquence, et le Si, de grand diamètre et bon marché, pour les composants de puissance. La clé réside dans les couches tampons qui limitent les défauts et la courbure dus aux différences de paramètre de maille et de dilatation thermique.