Quelle structure la plupart des composants de puissance GaN actuellement répandus adoptent-ils ?

Réponse : A. Une structure HEMT latérale réalisée sur un substrat tel que le Si

La plupart des composants de puissance GaN actuels sont des HEMT latéraux obtenus par épitaxie de GaN sur substrat Si. L'emploi de substrats Si de grand diamètre bon marché et des usines Si existantes limite les coûts ; grâce à leur commutation rapide, ils se répandent dans les chargeurs, alimentations de centres de données et équipements automobiles de la classe 100 à 650 V. Pour les tensions et courants plus élevés, des composants verticaux sur substrat GaN, où le courant circule verticalement, sont également étudiés.