Comment se situe la conductivité thermique du GaAs par rapport à celle du silicium ?

Réponse : A. Plus faible (environ un tiers de celle du silicium)

La conductivité thermique du GaAs est d'environ 46 W/(m·K), soit environ un tiers de celle du silicium (environ 150). Dans les composants de forte puissance, la conception thermique est donc essentielle : amincissement du substrat à environ 50 à 100 µm, évacuation de la chaleur par la métallisation de la face arrière et des trous traversants (vias). Le SiC (environ 400), à forte conductivité thermique, est l'une des raisons de son emploi comme substrat des composants GaN de forte puissance. L'InP est également assez faible, à environ 68.