什麼是過度蝕刻(Over-etch)

偵測到終點後，為確實去除整片晶圓上的薄膜，而繼續蝕刻一段時間。需在對底層具高選擇比的條件下進行。

日文名稱: オーバーエッチング

「過度蝕刻(Over-etch)」出現在1領域的1道練習題中（蝕刻等）。

這個名詞所屬的領域: 蝕刻

練習過度蝕刻(Over-etch)的題目

表示晶圓面內蝕刻速率變異之小的指標是下列何者？

  1. A選擇比
  2. B均勻性
  3. C縱橫比
查看答案與解析

正確答案：B. 均勻性

均勻性表示晶圓中心與外圍等處的蝕刻速率或加工形狀有多一致，例如以「(最大值 − 最小值)÷(2 × 平均值)」的百分比表示。均勻性不佳時，會因位置而出現蝕刻不足或過度蝕刻，使外圍晶片的良率下降。可藉由調整電漿的密度分布、氣體流動、晶圓溫度的分區控制、聚焦環等，改善至數%以下。

解析中的「過度蝕刻(Over-etch)」

出現「過度蝕刻(Over-etch)」的題目（1題）

  1. 表示晶圓面內蝕刻速率變異之小的指標是下列何者？

相關名詞

良率 電漿 天線效應 灰化 自由基 自偏壓 非等向性蝕刻 乾式蝕刻 深寬比 終點偵測

前往名詞解釋列表