蝕刻 GaN的乾式蝕刻一般使用的氣體是下列何者？ A氯系氣體（Cl2、BCl3等） B僅有氧氣 C水蒸氣 查看答案與解析 正確答案：A. 氯系氣體（Cl2、BCl3等） GaN的鍵結強、化學性質穩定，是幾乎不受濕式蝕刻作用的材料，但若使用氯系氣體的電漿，便可使其成為揮發性的GaCl3而去除。BCl3也有助於去除表面的氧化層。使用ICP等高密度電漿設備，加工LED或雷射的平台（mesa）結構、HEMT閘極的凹槽（recess）等，並且為了避免損傷導致性能下降，也設法以低離子能量進行加工。