ミスフィット転位とは
みすふぃっとてんい
格子定数の異なる結晶の界面に、ひずみを緩和するために入る転位。成長層が臨界膜厚を超えると発生する。
この用語の分野: エピタキシャル成長
解説の中の「ミスフィット転位」
格子定数が異なる材料を成長させると、膜は基板に合わせて縮んだり伸びたりしてひずみがたまり、臨界膜厚を超えると、ひずみを緩和するために界面にミスフィット転位が発生します。
基板と成長膜の格子定数の差(格子不整合)が大きいときに起こりやすい問題はどれか。膜厚が増えるとひずみエネルギーが大きくなり、臨界膜厚を超えるとミスフィット転位が発生してひずみが緩みます。
ヘテロエピタキシャル成長における臨界膜厚の説明として正しいものはどれか。組成を少しずつ変えたバッファ層(例えばGeを1 µmあたり10%ずつ増やすSiGe)を挟むと、ひずみが段階的に緩和され、ミスフィット転位が界面に沿って長く伸びてバッファ層の中にとどまり、上の層の貫通転位を10⁵〜10⁶ cm⁻²程度まで減らせます。
格子定数の大きく異なる材料をヘテロエピタキシャル成長させるとき、組成を少しずつ変えた層を間に挟む「グレーデッドバッファ…
「ミスフィット転位」が出てくる問題(3問)
関連する用語
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