Gas van een verbinding van silicium en waterstof. Wordt gebruikt als grondstof voor CVD van polysilicium en siliciumoxide- en nitridefilms. Ontbrandt spontaan aan de lucht en wordt daarom streng beheerd.
Japanse benaming: シラン(SiH4)
“Silaan (SiH4)” komt voor in 14 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Laagafzetting (CVD, PVD), Procesmaterialen (gassen, chemicaliën), Epitaxiale groei.
Vakgebied: Procesmaterialen (gassen, chemicaliën)
Antwoord: B. Amorf silicium
Een siliciumlaag door thermische ontleding van silaan is onder circa 580 °C amorf en erboven polykristallijn (polysilicium). Wanneer eerst amorf wordt afgezet en daarna langdurig bij circa 600 °C wordt uitgegloeid, groeien kristallen vanuit weinig kiemen, zodat een laag met grotere kristalkorrels (hogere mobiliteit) ontstaat dan bij rechtstreekse depositie. Bij dunnefilmtransistors (TFT) van LCD's wordt ook kristallisatie met een laser toegepast.
Antwoord: A. Het is pyrofoor en kan ontbranden als het in de lucht lekt
Silaan is een pyrofoor gas dat spontaan ontbrandt bij contact met lucht; bij lekkage in hoge concentratie kan het zich ophopen zonder direct te branden en daarna explosief verbranden. Daarom wordt het in een afgezuigde gascilinderkast opgeborgen en geleverd via leidingen met lekdetectoren en noodafsluiters. Het zendt geen straling uit en is ook geen veilig gas waarvoor geen speciaal beheer nodig is. Het wordt veel gebruikt als grondstof voor CVD van polysilicium, SiO2 en SiN.
Een siliciumlaag door thermische ontleding van silaan is onder circa 580 °C amorf en erboven polykristallijn (polysilicium).
Welke laag ontstaat wanneer bij thermische ontleding van si…Silaan is een pyrofoor gas dat spontaan ontbrandt bij contact met lucht; bij lekkage in hoge concentratie kan het zich ophopen zonder direct te branden en daarna explosief verbranden.
Wat is het belangrijkste gevaar bij het hanteren van silaan…Distikstofmonoxide (N2O) wordt bij plasma-CVD gebruikt als oxidator die met silaan reageert tot siliciumoxide, en de laag kan bij een lage temperatuur van ca.
Welk gas wordt soms gebruikt als oxidator wanneer met silaa…Voor epitaxiale groei van silicium worden siliciumhoudende gassen zoals trichloorsilaan, dichloorsilaan en silaan samen met waterstof gebruikt.
Welk gas wordt als grondstof gebruikt bij de epitaxiale gro…Met dichloorsilaan is groei ook bij lagere temperaturen van circa 1000 tot 1100 °C mogelijk en met silaan bij 600 tot 900 °C, zodat deze worden gebruikt in geavanceerde processen met een krap thermisch budget.
Welke temperatuur ligt het dichtst bij de gangbare groeitem…CVD Epitaxiale groei Plasma LPCVD (low-pressure CVD) Numerieke apertuur (NA) Mobiliteit Contact Via Oxynitride (SiON) Fosfine (PH3)