Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Welke eigenschap van door plasma-CVD afgezette siliciumnitridelagen is juist?

  1. AZe bevatten relatief veel waterstof en hebben vaak een lagere dichtheid dan thermische CVD-lagen
  2. BZe hebben een volledig stoichiometrische samenstelling (Si3N4) en bevatten geen waterstof
  3. CZe geleiden elektriciteit als een metaal
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ze bevatten relatief veel waterstof en hebben vaak een lagere dichtheid dan thermische CVD-lagen

Siliciumnitride van plasma-CVD wordt gevormd door silaan en ammoniak en dergelijke bij een lage temperatuur van 300 tot 400 °C te laten reageren, bevat circa 10 tot 30 % waterstof in de vorm van Si-H en N-H en wijkt ook in samenstelling af (SiNx). Daardoor heeft het een lagere dichtheid dan thermische CVD-lagen en vaak een hogere etssnelheid. Omdat het toch moeilijk water en natrium doorlaat en bij lage temperatuur kan worden afgezet, wordt het gebruikt als beschermlaag (passivering) bovenop de chip en als diffusiebarrière voor koperbedrading.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer bij het vullen van een smalle sleuf de laag dik wordt afgezet bij de ingang (overhang)?
  2. Wat is het doel van een plaat met veel gaten (collimator) tussen target en wafer in een sputterapparaat?
  3. Wat is de belangrijkste reden dat bij PVD, zoals sputteren en opdampen, de zijwanden en bodem van diepe sleuven moeilijk met een laag worden bedekt?
  4. Hoe heet het geleidend maken van de laag door tijdens het afzetten van een polysiliciumlaag met LPCVD gelijktijdig een gas met onzuiverheden zoals fosfor toe te voeren?
  5. Wat is de belangrijkste reden dat voor het vullen van een contactgat met CVD-wolfraam eerst een dunne laag zoals TiN (titaniumnitride) als ondergrond wordt aangebracht?

Vergelijkingen bij dit onderwerp